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內(nèi)存現(xiàn)貨價格下跌速度已經(jīng)放緩 預(yù)計明年初觸底

來源：快科技

對于想要抄底買內(nèi)存的小伙伴來說，可以適當(dāng)?shù)目紤]了，因為現(xiàn)貨價格下跌速度已經(jīng)放緩了。

據(jù)《電子時報》報道，11月主流 8Gb和16Gb DDR4芯片現(xiàn)貨價格下跌0.7-1.5%，而10月的平均跌幅為7%，11月3D TLC NAND閃存芯片現(xiàn)貨價格跌幅同樣較上月趨緩，SLC和MLC NAND芯片價格已停止下跌。

消息人士指出，為保持價格穩(wěn)定，上游芯片供應(yīng)商對明年的產(chǎn)能擴(kuò)張保持謹(jǐn)慎，使得現(xiàn)貨市場的供應(yīng)商能夠協(xié)商出更好的價格。據(jù)消息人士稱，2022年DRAM整體位供應(yīng)量預(yù)計將增加約5%。

同時，出于盈利考慮，芯片供應(yīng)商正尋求將更多用于低密度商品DRAM內(nèi)存的可用產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至CMOS圖像傳感器的制造，同時啟動DDR6內(nèi)存研發(fā)。

該消息人士稱，盡管渠道零售商和分銷商對2022年第一季度的需求前景仍然悲觀，但在2月中旬之后，需求的可見度有可能變得更加清晰。

標(biāo)簽： 內(nèi)存市場 供需情況 DDR5內(nèi)存 DRAM產(chǎn)業(yè)

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